2SJ648 P沟道MOS场效应管 -20V 400mA 1.17ohm SOT-523 marking/标记 H1 低导通电阻 超高速开关 2.5V驱动
| 最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | -20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage | 12V |
| 最大漏极电流IdDrain Current | -0.4A |
| 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance | 1.17Ω @-2A,-4.5V |
| 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage | -0.8--1.8V |
| 耗散功率PdPower Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | FEATURES •2.5 V drive available •Low on-state resistance RDS(on)1 = 1.45 Ω MAX. (VGS = −4.5 V,ID−0.2A) RDS(on)2 = 1.55 Ω MAX. (VGS = −4.0 V, ID = −0.2 A) DS(on)3 = 2.98 Ω MAX. (VGS = −2.5 V, ID = −0.15 A) |
| 描述与应用 | •2.5 V驱动器可用 •低通态电阻 的RDS（on）1 =1.45Ω最大。 （VGS= -4.5 V，ID-0.2A） 的RDS（on）2 =1.55Ω最大。 （VGS= -4.0 V，ID= -0.2） DS（上）3=2.98Ω最大。 （VGS= -2.5 V，ID= -0.15） |
| 规格书PDF |
