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2SK1586 N沟道MOSFET 30V 1A SOT-89 marking/标记 NI FET作开关/低导通电阻

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.2Ω/Ohm @500mA,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage1.3-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation2W
Description & ApplicationsN-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING Directly driven by ICs having a 5V power source Not necessary to consider driving current because of its high input impedance Has high voltage and high-speed switching characteristics
描述与应用N沟道MOS FET的切换 直接被带有5V电源的IC驱动 不必考虑驱动电流,因为它的高输入阻抗 具有高电压和高速开关特性
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