2SK1830 N沟道MOSFET 20V 50mA SOT-523/SSM marking/标记 KI 高速开关/模拟开关应用/4V栅极驱动/低阈值电压
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 10V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 50mA |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 20Ω/Ohm @10mA,2.5V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 0.5-1.5V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 100mW/0.1W |
| Description & Applications | 东芝场效应晶体管的硅A通道MOS型 高速开关应用 模拟开关应用 特性 硅N沟道MOS FET 高速开关应用 模拟开关应用 2.5V栅极驱动 低阈值电压 高速 增强型 小包装 |
| 描述与应用 | 特性 硅N沟道MOS FET 高速开关应用 模拟开关应用 2.5V栅极驱动 低阈值电压 高速 增强型 小包装 |
| 规格书PDF |
