我的订单
分享到:
当前位置:首页 > 现货库存 > 商品详情

2SK2109 N沟道MOSFET 60V 500mA/0.5A SOT-89 marking/标记 NS 低导通电阻/高开关速度/低寄生电容

热销商品

产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current500mA/0.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.41Ω/Ohm @300mA,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage0.8-2.0V
耗散功率Pd Power Dissipation2W
Description & ApplicationsMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING The 2SK2109 is a N-channel MOS FET of a vertical type and is a switching element that can be directly driven by the output of an IC operating at 5 V. This product has a low ON resistance and superb switching characteristics and is ideal for driving the actuator, such as motors and DC/DC converters. Features N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING • Low ON resistance • High switching speed • Low parasitic capacitance
描述与应用MOS场效应晶体管 N沟道MOS FET高速开关 2SK2109是一个N沟道MOS FET的垂直型 是一种开关元件,可以直接驱动的输出 IC工作在5 V。 该产品具有低导通电阻和一流的开关 特点,是理想的,如电机驱动致动器 和DC / DC转换器。 特性 N沟道MOS FET高速开关 •低导通电阻 •高开关速度 •低寄生电容
规格书PDF
相关型号列表

备案/许可证号:粤ICP备14038557号 Copyright ©: 2017 爱瑞凯电子商城版权所有 并保留所有权利
客服电话0755-88869068
工作时间:周一至周六 8:00~22:00