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2SK2463 N沟道MOSFET 60V 2A SOT-89 marking/标记 KC 低导通电阻/高速开关/宽SOA/低电压驱动

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.3Ω/Ohm @1A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage1-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation500mW/0.5W
Description & ApplicationsSmall switching (60V, 2A) Silicon N-channel MOSFET Features Silicon N-channel MOSFET Low on-resistance Fast switching speed Wide SOA (safe operating area) Low-voltage drive (4V) Easily designed drive circuits Easy to parallel
描述与应用小开关(60V,2A) 硅N沟道MOSFET 特性 硅N沟道MOSFET 低导通电阻 开关速度快 宽SOA(安全工作区) 低电压驱动(4V) 容易驱动电路设计 易于并行
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