我的订单
分享到:
当前位置:首页 > 现货库存 > 商品详情

2SK2910-TB-E N沟道MOSFET 30V 800mA/0.8A SOT-23/SC-59 marking/标记 EK 低导通电阻/超高速开关/4V驱动

热销商品

产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current800mA/0.8A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.23Ω/Ohm @400mA,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage1-2.4V
耗散功率Pd Power Dissipation250mW/0.25W
Description & ApplicationsN-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Ultrahigh-Speed Switching Applications Low ON resistance Ultrahigh-speed switching 4V drive
描述与应用N-沟道硅MOSFET 超高速开关应用 特性 超高速开关应用 低导通电阻 超高速开关 4V驱动
规格书PDF
相关型号列表

备案/许可证号:粤ICP备14038557号 Copyright ©: 2017 爱瑞凯电子商城版权所有 并保留所有权利
客服电话0755-88869068
工作时间:周一至周六 8:00~22:00