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2SK2980 N沟道MOSFET 30V 1A SOT-23/SC-59 marking/标记 ZZ 低导通电阻/超高速开关/2.5V驱动

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流Id Drain Current1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.2Ω/Ohm @500mA,4V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage0.5-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation800mW/0.8W
Description & ApplicationsSilicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Low on-resistanceRDS(on)= 0. 2Ω typ.(VGS= 4 V, ID = 500 mA) 2.5V gate drive devices Small package (MPAK)
描述与应用硅N沟道MOS FET 高速电源开关 特性 硅N沟道MOS FET 高速电源开关 低resistanceRDS(上)=0. 2Ω典型值(VGS=4 V,ID=500毫安) 2.5V栅极驱动装置 小型封装(MPAK)
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