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2SK33720HL N沟道MOSFET 20V 2mA SOT-523 marking/标记 1H 低频率阻抗变换/高互导GM/低噪声增益控制放大器电压的NV

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage
最大漏极电流Id Drain Current2mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation100mW/0.1W
Description & ApplicationsSilicon Junction FETs (Small Signal) Silicon N-Channel Junction For impedance conversion in low frequency For electret capacitor microphone Features Silicon N-Channel Junction For impedance conversion in low frequency For electret capacitor microphone High mutual conductance gm Low noise voltage of NV
描述与应用硅结场效应晶体管(小信号) 硅N沟道结 对于低频率阻抗转换驻极体电容式麦克风 特性 硅N沟道结 在低频率的阻抗变换 对于驻极体电容式麦克风 高互导GM 低噪声电压的NV
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