2SK360IGFTL-E N沟道MOSFET 20V 30mA SOT-23/SC-59 marking/标记 IGF VHF放大器
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 5V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 30mA |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 0-2V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 150mW/0.15W |
| Description & Applications | Silicon N-Channel MOS FET VHF amplifier Features Silicon N-Channel MOS FET VHF amplifier |
| 描述与应用 | 硅N沟道MOS场效应管高频放大器 特性 硅N沟道MOS FET VHF放大器 |
| 规格书PDF |
