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3SK131 N沟道MOSFET 20V 25mA SOT-143 marking/标记 V11 射频放大器/VHF电视调谐器/低噪声增益控制放大器

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流Id Drain Current25mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage-2/-1.5
耗散功率Pd Power Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR RF AMP. FOR VHF TV TUNER N-CHANNEL SILICON DUAL-GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4PIN MINI MOLD Features MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR RF AMP FOR VHF TV TUNER N-CHANNEL SILICON DUAL-GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4PIN MINI MOLD Suitable for use as RF amplifier in VHF TV tuner Low Crss : 0.05 pF TYP High Gps : 23 dB TYP Low NF : 1.3 dB TYP
描述与应用MOS场效应晶体管 射频放大器。 VHF电视调谐器 N-沟道硅双栅MOS场效应晶体管 4PIN MINI模具 特性 MOS场效应晶体管 VHF电视调谐RF放大器 N-沟道硅双栅MOS场效应晶体管 4PIN 迷你模具 适合用于甚高频电视调谐器中RF放大器 低Crss:0.05 pF(典型值) 高GPS:23 dB(典型值) 低噪声系数:1.3 dB(典型值)
规格书PDF
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