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3sk191 MESFET-N沟道 12V 10mA-32mA -5V SOT-243 marking/标记 NI 高频应用

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage12V
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage-6V
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current10mA-32mA
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage-5V
耗散功率PdPower Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsGaAs DUAL-GATE FET. Applications: UHF TV TUNER RF AMPLIFIER.
描述与应用砷化镓双栅场效应管. 应用: 超高频电视调谐器射频放大器.
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