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3SK319 N沟道MOSFET 6V 20mA SOT-143/MPAK-4 marking/标记 YB 交叉调制特性/低电压工作/低噪音

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage6V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage6V
最大漏极电流Id Drain Current20mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage6V
耗散功率Pd Power Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsSilicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier Features •Low noise characteristics; (NF= 1.4 dB typ. at f= 900 MHz) •Excellent cross modulation characteristics •Capable low voltage operation;
描述与应用硅N沟道双栅MOS FET UHF射频放大器 •低噪音特点;(NF=1.4 dB(典型值),在f=900兆赫) •优秀的交叉调制特性 •低电压工作能力;
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