H5N5006 N沟道MOSFET 500V 3A TO-252/D-PAK marking/标记 5N5006 低栅极电荷/门源齐纳二极管ESD坚固
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 500V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 30V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 3A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 3.0Ω/Ohm 1.5A,10V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 3-4.5V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 30W |
| Description & Applications | • Low on-resistance: RDS(on) = 2.5 Ω typ. •Low leakage current: IDSS = 1 µA max. (at VDS = 500 V) •High speed switching: tf = 15 ns typ. (at VGS = 10 V, VDD ≅ 250 V, ID= 1.5 A) • Low gate charge: Qg = 14 nC typ. (at VDD = 400 V, VGS = 10 V, ID = 3A) • Avalanche ratings |
| 描述与应用 | •低电阻RDS（ON）=2.5Ω（典型值）。 •低漏电流IDSS=1μA最大。 （VDS=500 V） •高速开关：TF=15纳秒典型。 （VGS=10 V，VDD≅250 V，ID=1.5 A） •低栅极电荷：QG=14 NC（典型值）。 （VDD= 400 V，VGS=10V，ID= 3 A） •雪崩额定值 |
| 规格书PDF |
