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AP2302GN N沟道MOSFET 20V 3.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 N2 低导通电阻

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流Id Drain Current3.2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.085Ω/Ohm 3.6A,4.5V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage0.5-1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation1.38W
Description & ApplicationsAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination ofastswitching, low on-resistance and cost-effectiveness.
描述与应用高级电源 N沟道增强模式 功率MOSFET 先进的功率MOSFET提供从APEC 设计师与快速切换的最佳组合, 低导通电阻和成本效益
规格书PDF
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