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APM3054NVC N沟道MOSFET 30V 15A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 APM3054N 高密度电池设计

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current15A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.054Ω/Ohm 12A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage1.3V
耗散功率Pd Power Dissipation1.25W
Description & Applications30V/15A RDS(ON) =48mΩ(typ.) @ VGS=10V RDS(ON)=75mΩ(typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design High Power and Current Handling Capability TO-252 and SOT-223 Package
描述与应用30V/15A RDS(ON) =48mΩ(典型值)@ VGS= 10V RDS(ON)=的75mΩ(典型值)@ VGS= 4.5V 超级高密度电池设计 高功率和电流处理能力 TO-252和SOT-223封装
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