EEPROMs-串行存储器 AT24C16N-10SI-2.7 8s1/SOIC8 marking/标记 24C16N
| 存储器格式Format - Memory | EEPROMs - 串行 EEPROMs - Serial |
| 存储器类型Memory Type | EEPROM |
| 存储容量Memory Size | 16K (2K x 8) |
| 速度Speed | 100kHz，400kHz |
| 接口Interface | I²C，2 线串口 I²C, 2-Wire Serial |
| 电源电压Voltage - Supply | 2.7 V ~ 5.5 V |
| Description & Applications | Description The AT24C01A/02/04/08/16 provides 1024/2048/4096/8192/16384 bits of serial electrically erasable and programmable read-only memory (EEPROM) organizedas 128/256/512/1024/2048 words of 8 bits each. The device is optimized for use in many automotive applications where low-power and low-voltage operation are essential. The AT24C01A/02/04/08/16 is available in space-saving 8-lead PDIP and 8-lead JEDEC SOIC packages and is accessed via a 2-wire serial interface. In addition, the entire family is available in 5.0V (4.5V to 5.5V) and 2.7V (2.7V to 5.5V) versions. Features • Medium-voltage and Standard-voltage Operation – 5.0 (VCC = 4.5V to 5.5V) – 2.7 (VCC= 2.7V to 5.5V) • Internally Organized 128 x 8 (1K), 256 x 8 (2K), 512 x 8 (4K), 1024 x 8 (8K) or 2048 x 8 (16K) • 2-wire Serial Interface • Schmitt Trigger, Filtered Inputs for Noise Suppression • Bi-directional Data Transfer Protocol • 100 kHz (2.7V) and 400 kHz (5V) Compatibility • Write Protect Pin for Hardware Data Protection • 8-byte Page (1K, 2K), 16-byte Page (4K, 8K, 16K) Write Modes • Partial Page Writes are Allowed • Self-timed Write Cycle (10 ms max) • High-reliability – Endurance: 1 Million Write Cycles – Data Retention: 100 Years • 8-lead PDIP and 8-lead JEDEC SOIC Packages |
| 描述与应用 | AT24C01A/02/04/08/16提供1024/2048/4096/8192/16384位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）为 128/256/512/1024/2048话，每次8位。该器件经过优化，使用在许多 汽车应用在低功耗和低电压操作是必不可少的。 可在节省空间的8引脚PDIP和8引脚AT24C01A/02/04/08/16 JEDEC的SOIC封装，并通过2线串行接口访问。此外，本 整个系列可在5.0V（4.5V至5.5V）和2.7V（2.7V至5.5V）版本。 •中等电压和标准电压工作 - 5.0（VCC=4.5V至5.5V） - 2.7（VCC = 2.7V到5.5V） 内部结构128×8（1K），256×8（2K），512×8（4K） 1024×8（8K）或2048×8（16K） •2线串行接口 •施密特触发器滤波抑制噪声 •双向数据传输协议 •100千赫（2.7V）和400 kHz（5V）兼容性 •写保护引脚用于硬件数据保护 •8字节（1K，2K）（4K，8K，16K），16字节页写模式 •部分页写 •自定时写周期（最大10 ms） •可靠性高 - 耐力：1万次擦写循环 - 数据保存：100年 •8引脚PDIP封装和8引脚JEDEC SOIC封装 |
| 规格书PDF |
