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BC857S PNP+PNP复合三极管 -50V -200mA HEF=125~630 SOT-363 标记3C 用于开关/数字电路

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)
 -50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)
 -45V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)
 -100MA/-0.1A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)
 250MHZ
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)
 200~630
管压降VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
 -0.65V
耗散功率Pc
Power Dissipation
 250MW/0.25W
描述与应用
Description & Applications
  PNP型硅房颤晶体管阵列
  对于房颤输入阶段和驱动程序的应用程序
  高电流增益
  低饱和电压
  两个(电)内部孤立的晶体管
  在一个包有良好的匹配
 
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