BC857S PNP+PNP复合三极管 -50V -200mA HEF=125~630 SOT-363 标记3C 用于开关/数字电路
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-45V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
-100MA/-0.1A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) |
250MHZ |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) |
200~630 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage |
-0.65V |
| 耗散功率Pc Power Dissipation |
250MW/0.25W |
| 描述与应用 Description & Applications |
PNP型硅房颤晶体管阵列
对于房颤输入阶段和驱动程序的应用程序
高电流增益
低饱和电压
两个(电)内部孤立的晶体管
在一个包有良好的匹配
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