BF1101WR n沟道双栅MOS-FETs 7V 30MA SOT343 代码 NC 低噪声增益控制放大器1 GHz
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage |
7V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage |
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| 最大漏极电流Id Drain Current |
30MA |
| 源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State |
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| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage |
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| 耗散功率Pd Power dissipation |
0.2W |
| 描述与应用 Description & Applications |
n沟道双栅MOS-FETs
*短通道晶体管高转移导纳输入电容率
*低噪声增益控制放大器1 GHz
*部分内部自给偏压电路,以确保良好的交叉调制在AGC和良好的性能直流稳定。
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| 规格书PDF |
