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BFG21W NPN三极管 15V 500mA/0.5A 18GHz 40~100 SOT-343 marking/标记 P1 双极性功率晶体管

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)15V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)4.5V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)500mA/0.5A
截止频率fTTranstion Frequency(fT)18GHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)40~100
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率PcPower Dissipation600mW/0.6W
Description & ApplicationsAPPLICATIONS • UHF power transistor • Common emitter class-AB output stage in hand held radio equipment at 1.9 GHz such as DECT, PHS, etc. • Driver for DCS1800, 1900. DESCRIPTION NPN double polysilicon bipolar power transistor with buried layer for low voltage medium power applications encapsulated in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343R package.
描述与应用特点 •高功率增益 •高效率 •1.9 GHz工作区 线性和非线性操作。 应用 •共发射极AB类输出级在手举行 无线电设备在1.9 GHz,如DECT,PHS等 •驱动程序,DCS1800,1900。 说明 NPN双多晶硅双极功率晶体管 埋层低电压中等功率应用 在一个塑料封装,4针的双射SOT343R 包。
规格书PDF
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