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BFP640 NPN三极管 13V 50mA 40GHz 110~270 SOT-343 marking/标记 R4 高增益低噪声RF晶体管

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)13V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)10V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)50mA
截止频率fTTranstion Frequency(fT)40GHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)110~270
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率PcPower Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsNPN Silicon Germanium RF Transistor* • High gain low noise RF transistor • Provides outstanding performance for a wide range of wireless applications • Ideal for CDMA and WLAN applications • Outstanding noise figure F = 0.65 dB at 1.8 GHz Outstanding noise figure F = 1.3 dB at 6 GHz • High maximum stable gain Gms= 24 dB at 1.8 GHz • Gold metallization for extra high reliability • 70 GHz fT-Silicon Germanium technology
描述与应用NPN硅锗射频晶体管 •高增益低噪声RF晶体管 •突出表现为广泛的无线应用 •非常适于CDMA和WLAN应用 •杰出的噪声指数为1.8GHz(F=0.65dB时)  杰出的噪声指数为6 GHz(F =1.3dB时) •高的最大稳定增益    GMS=24dB(1.8 GHz时) •黄金金属额外的高可靠性 •70 GHz的FT-硅锗技术
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