我的订单
分享到:
当前位置:首页 > 现货库存 > 商品详情

BSS123-7-F N沟道MOSFET 100V 170mA/0.17A SOT-23/SC-59 marking/标记 K23 快速开关/逻辑电平兼容

热销商品

产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage100V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage100V
最大漏极电流Id Drain Current170mA/0.17A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance3.4Ω/Ohm @1.7A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage0.8-1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation360mW/0.36W
Description & ApplicationsN-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor BSS100: 0.22A, 100V. RDS(ON)= 6W @ VGS = 10V. BSS123: 0.17A, 100V. RDS(ON)= 6W @ VGS = 10V High density cell design for extremely low RDS(ON) Voltage controlled small signal switch. Rugged and reliable.
描述与应用BSS100:0.22A,100V。RDS(ON)=6W@ VGS= 10V。 BSS123:0.17A,100V。 RDS(ON)=6W@ VGS= 10V 高密度电池设计极低的RDS(ON) 电压控制小信号开关。 坚固,可靠
规格书PDF
相关型号列表

备案/许可证号:粤ICP备14038557号 Copyright ©: 2017 爱瑞凯电子商城版权所有 并保留所有权利
客服电话0755-88869068
工作时间:周一至周六 8:00~22:00