CET3055 N沟道MOSFET 60V 4A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 3055 密度电池设计极低的RDS
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 20v |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 4A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 0.1Ω/Ohm @4A,10V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 2-4V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 3W |
| Description & Applications | |
| 描述与应用 |
| 规格书PDF |
