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CET3055 N沟道MOSFET 60V 4A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 3055 密度电池设计极低的RDS

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20v
最大漏极电流Id Drain Current4A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.1Ω/Ohm @4A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage2-4V
耗散功率Pd Power Dissipation3W
Description & Applications
描述与应用
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