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CLY10 MESFET-N沟道 9V 1.2A-2.4A -2.8V SOT-223 marking/标记 CLY10 高频应用

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage9V
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage-6V
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current1.2A-2.4A
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage-2.8V
耗散功率PdPower Dissipation3.5W
Description & ApplicationsGaAs FET. * Power amplifier for mobile phones * For frequencies from 400 MHz to 2.5 GHz * Wide operating voltage range: 2.7 to 6 V * POUT at VD=3V, f=1.8GHz 28.5 dBm typ. * High efficiency better 55 %
描述与应用砷化镓场效应管. 用于移动电话的电源放大器, 使用频率从400 MHz至2.5 GHz ,宽工作电压范围:2.7至6 V 高效率,高于55%.
规格书PDF
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