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CPH6302 P沟道场效应管 -30V -3A SOT-163/SOT23-6/CPH6 marking/标记 JB 超高速开关 4V驱动

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage -30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流IdDrain Current -3A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance 270mΩ@ VGS = -4V, ID = -0.5A
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage -1~-2.5V
耗散功率PdPower Dissipation 1.6W
Description & Applications P-Channel MOS Silicon FET Ultrahigh-Speed Switching Applications Features · Low ON resistance. · Ultrahigh-speed switching. · 4V drive
描述与应用 P沟道MOS硅FET 超高速开关应用 特点  ·低导通电阻。  ·超高速开关。  ·4V驱动器
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