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EMG4 NPN+NPN复合带阻尼三极管 50V 100mA HEF=100~600 150mW/0.15W SOT-563/EMT6 标记G4 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) Q1/Q2 50V/50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) Q1/Q2 50V/50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) Q1/Q2 100mA/100MA
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 10KΩ/Ohm
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)  
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio  
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 10KΩ/Ohm
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)  
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio  
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) Q1/Q2 100~600/100~600
截止频率fT Transtion Frequency(fT) Q1/Q2 250MHz/250MHZ
耗散功率Pc Power Dissipation Q1/Q2 150mW/0.15W
Description & Applications Features •Emitter common (dual digital transistors) •Two DTC114T chips in a EMT or UMT or SMT package. •Mounting cost and area can be cut in half
描述与应用 特点 •发射极普通的(双数字晶体管) •两个DTC114T在EMT或UMT或SMT封装的芯片。 •安装成本和面积可减少一半
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