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ESD0P8RFL 瞬态抑制二极管TVS/ESD 50V 10A TSLP-4-7 标记E8

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产品描述
极性Polarization单向 Unidirectional
反向关断电压/工作电压VRWMReverse Standoff Voltage50V
反向击穿电压VBRBreakdown Voltage
峰值脉冲耗散功率PPPMPeak Pulse Power Dissipation
峰值脉冲电流IPPmPeak Forward Surge Current10A
额定耗散功率PdPower dissipation
Description & ApplicationsRF ESD Protection Diodes ;Features • ESD protection of RF antenna / interfaces or ultra high speed data lines acc. to: IEC61000-4-2 (ESD): ± 20 kV (air / contact) IEC61000-4-4 (EFT): 40 A (5/50 ns) IEC61000-4-5 (surge): 10 A (8/20 µs) • Very low line capacitance: 0.8 pF @ 1 GHz ( 0.4 pF per diode) • Ultra low series inductance: 0.4 nH per diode • Very low clamping voltage • Ultra small leadless package 1.2 x 0.8 x 0.39 mm • Pb-free (RoHS compliant) package • Qualified according AEC Q101
描述与应用射频 ESD保护二极管;特性 •RF天线/ ESD保护 接口或超高速数据线符合: IEC61000-4-2(ESD):±20千伏(空气/接触) IEC61000-4-4(EFT):40(5/50ns) IEC61000-4-5(浪涌):10 A(8/20微秒) •极低的线路电容:0.8 pF@ 1 GHz的 (0.4 pF每二极管) •超低串联电感:0.4 nH的每二极管 •极低钳位电压 •超小型1.2×0.8×0.39毫米无引线封装 •无铅包装(符合RoHS) •符合AEC Q101
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