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FS30AS-06-T13 N沟道MOSFET 60V 3A TO-252/D-PAK marking/标记 FS30 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.03Ω/Ohm @5A,10v
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage2.0-4.0v
耗散功率Pd Power Dissipation3.5W
Description & Applications• Drive voltage : 10 V • VDSS : 60 V • rDS(ON) (max) 30 mΩ • ID : 30 A • Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 65 ns
描述与应用•驱动电压10 V •VDSS:60 V •RDS(ON)(最大值)30MΩ •ID:30 A •集成的快速恢复二极管(典型值):65纳秒
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