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FZT851TA NPN三极管 150V 6A 130MHz 100~300 375mV/0.375V SOT-223 marking/标记 FZT851 高电流(高性能)晶体管

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)150V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)60V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)6A
截止频率fTTranstion Frequency(fT)130MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)100~300
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage375mV/0.375V
耗散功率PcPower Dissipation3W
Description & ApplicationsSOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT(HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS Extremely low equivalent on-resistance; RCE(sat) =44mΩ at 5A 6 Amps continuous current, up to 20 Amps peak current Very low saturation voltages Excellent hFE characteristics specified up to 10 Amps
描述与应用SOT223 NPN硅平面高电流(高性能)晶体管 极低的等效导通电阻;在5A时RCE(饱和)=44mΩ 6安培连续电流,高达20安培的峰值电流 极低的饱和电压 优秀HFE 高达10安培的特性
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