HN1C03F-B NPN+NPN复合三极管 50V 0.3A HEF=350~1200 SOT-163/SM6/SOT-26 标记C3B 用于开关/数字电路
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) |
50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
20V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
300MA |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) |
30MHZ |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) |
350~1200 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage |
0.1V |
| 耗散功率Pc Power Dissipation |
300MW/0.3W |
| 描述与应用 Description & Applications |
特点 •东芝晶体管的硅NPN外延型（PCT工艺）包括两个设备在SM6（超迷你型6引线） •高发射极 - 基极电压VEBO= 25V（最小值） •高反向HFE：扭转HFE=150（典型值）（VCE=2V，IC=4毫安） •低导通电阻RON=1Ω（典型值）（IB=5毫安） •对于静音和开关应用 |
| 技术文档PDF下载 | 在线阅读 |
| 规格书PDF |
