我的订单
分享到:
当前位置:首页 > 现货库存 > 商品详情

HN3B01F NPN+PNP复合三极管 60V/-50V 150mA/-150mA 120~400 SOT-163/SM6/SOT-26 标记5A 用于开关/数字电路

热销商品

产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 60V/-50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V/-50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 150mA/-150mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 150MHz/120MHZ
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 120~400/120~400
管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage 100mV/-100mV
耗散功率Pc Power Dissipation 300mW
Description & Applications Features • TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Q1: • High voltage and high current : VCEO = 50V, IC = 150mA (max) • High hFE : hFE = 120~400 • Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Q2: • High voltage and high current : VCEO = −50V, IC = −150mA (max) • High hFE : hFE = 120~400 • Excellent hFE linearity : hFE (IC = −0.1mA) / hFE (IC = −2mA) = 0.95 (typ.) • Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications
描述与应用 特点 •东芝晶体管的硅NPN外延型(PCT工艺)硅PNP外延式(PCT的进程) Q1: •高电压和高电流:VCEO=50V,IC =150mA(最小值) •高HFE:HFE=120〜400 •优异的线性度:(IC=0.1毫安)/ HFE(IC=2毫安)=0.95(典型值) Q2: •高电压和高电流:VCEO=-50V,IC=电流150mA(最大值) •高HFE:HFE=120〜400 •优秀的HFE线性:HFE(IC=-0.1毫安的)/ HFE(IC=-2毫安,)= 0.95(典型值) •音频通用放大器应用
规格书PDF
相关型号列表

备案/许可证号:粤ICP备14038557号 Copyright ©: 2017 爱瑞凯电子商城版权所有 并保留所有权利
客服电话0755-88869068
工作时间:周一至周六 8:00~22:00