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HN7G03FU-B FET+BJT复合场效应管 20V -15V marking/标记 8B SOT-363 电源管理 驱动、接口电路

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source VoltageMOSFET N-Channel
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current10V
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance100mA/0.1A
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage4Ω@ VGS = 2.5V, ID =10mA
耗散功率PdPower Dissipation50ms@VDS=3V,Id=10mA
Description & Applications
描述与应用0.7V~1.3V
规格书PDF
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