IMB10 PNP+PNP复合带阻尼三极管 -50V -0.1A R1=2.2KΩ R2=47KΩ 0.3W SOT-163/SMT6/SC-74 标记B10 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-50V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
-100MA |
| 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) | 2.2KΩ |
| 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) | 47KΩ |
| 基极与基极-发射极输入电阻比(R1/R2) Base-Emitter Input Resistance Ratio(R1/R2) |
0.47 |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) |
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| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) |
250MHZ |
| 耗散功率Pc Power Dissipation |
300MW |
| 描述与应用 Description & Applications |
通用(双重数字晶体管)
特性
1)两个DTA123J芯片EMT城市轨道交通或SMT包。
2)SMT3自动安装
3)晶体管是独立的元素,消除干扰。
4)安装成本和区域可以减少一半。
结构
外延平面类型
硅PNP晶体管(内置电阻类型)
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