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IMH11 NPN+NPN复合带阻尼三极管 50V 50mA 300mW/0.3W SOT-163/SMT6/SC-74 标记H11 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)50mA
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)10KΩ/Ohm
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)10KΩ/Ohm
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio1
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)10KΩ/Ohm
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)10KΩ/Ohm
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio1
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)
截止频率fT Transtion Frequency(fT)250MHz
耗散功率Pc Power Dissipation300mW/0.3W
Description & ApplicationsFeatures •General purpose (Dual Digital Transistors for Inverter Drive) •Two DTC114E chips in a UMT or SMT package. •Mounting possible with UMT3 or SMT3automatic mounting machines. •Transistor elements are independent, eliminating interference. •Mounting cost and area can be cut in half.
描述与应用特点 •通用(双数字晶体管逆变器驱动) •两个DTC114E在城市轨道交通或SMT封装的芯片。 •安装与UMT3或SMT3automatic的安装机器。 •晶体管元素是独立的,消除干扰。 •安装成本和面积可减少一半
规格书PDF
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