KRA755E PNP+PNP复合带阻尼三极管 -50V -100mA 0.2W HEF=80~200 R1=2.2KΩ R2=47KΩ SOT-563/TES6 标记PE 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-50V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
-100MA/-0.1A |
| 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) | 2.2KΩ |
| 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) | 47KΩ |
| 基极与基极-发射极输入电阻比(R1/R2) Base-Emitter Input Resistance Ratio(R1/R2) |
0.0468 |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) |
80~200 |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) |
200mhz |
| 耗散功率Pc Power Dissipation |
0.2w |
| 描述与应用 Description & Applications |
切换应用程序。
接口电路和驱动电路的应用。
特性
内置偏置电阻。
简化了电路设计。
减少数量的零部件和制造过程。
高存储密度。
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