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KRX101E NPN+PNP复合带阻尼三极管 50V 100mA 0.2W R1=10KΩ R2=10KΩ 200MHZ SOT-553/TESV 标记BA 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路

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产品描述
Q1 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)  50V
Q1集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)  50V
Q1集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)  100MA
Q2 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)  -50V
Q2集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)  -50V
Q2集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)  -100MA
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)  10KΩ
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)   10KΩ
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio  1
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)   10KΩ
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)   10KΩ
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio  1
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) Q1/Q2  
截止频率fT Transtion Frequency(fT) Q1/Q2  200MHZ/200MHZ
耗散功率Pc Power Dissipation  0.2W
Description & Applications
EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTOR
SWITCHING APPLICATION. 
INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION.
FEATURES
* Including two devices in TESV.
(Thin Extereme Super mini type with 5 pin.)
* With Built-in bias resistors. 
* Simplify circuit design. 
* Reduce a quantity of parts and manufacturing process.
描述与应用
  外延平面NPN / PNP晶体管
  切换应用程序。
  接口电路和驱动电路的应用。
  特性
  *在TESV包括两个设备。
  (薄Extereme超级迷你类型5针。)
  *内置偏置电阻。
  *简化电路设计。
  *减少数量的零部件和制造过程。
规格书PDF
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