KTK5132E N沟道MOSFET 30V 100mA/0.1A SOT-523/ESM marking/标记 KB
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 20V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 100mA/0.1A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 0.007Ω/Ohm @10mA,2.5V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 0.5-1.5V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 100mW/0.1W |
| Description & Applications | SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA ULTRA-HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS 2.5 Gate Drive. Low Threshold Voltage : Vth=0.5 1.5V. High Speed. Small Package. Enhancement-Mode. |
| 描述与应用 | 半导体技术数据 超高速开关应用 模拟开关应用 低阈值电压VTH=0.51.5V。 高速。 小包装。 增强模式 |
| 规格书PDF |
