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KTK5132E N沟道MOSFET 30V 100mA/0.1A SOT-523/ESM marking/标记 KB

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current100mA/0.1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.007Ω/Ohm @10mA,2.5V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage0.5-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation100mW/0.1W
Description & ApplicationsSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA ULTRA-HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS 2.5 Gate Drive. Low Threshold Voltage : Vth=0.5 1.5V. High Speed. Small Package. Enhancement-Mode.
描述与应用半导体技术数据 超高速开关应用 模拟开关应用 低阈值电压VTH=0.51.5V。 高速。 小包装。 增强模式
规格书PDF
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