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MIC94053YC6TR P沟道MOS场效应管 -6V 2A 0.07ohm SOT-363 marking/标记 P53 低导通电阻

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-6V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage-6V
最大漏极电流IdDrain Current-2A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.07 @-100mA,-4.5V
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-0.5--1.2V
耗散功率PdPower Dissipation270mW/0.27W
Description & ApplicationsFeatures • 0.125Ω typical on-resistance at 4.5V gate-to-source voltage • Operates with 1.8V gate-to-source voltage • Separate substrate connection allows reverse-blocking
描述与应用•0.125Ω的导通电阻的典型 在4.5V栅极至源极电压 •使用1.8V的栅 - 源电压 •独立的基板连接允许反向阻断
规格书PDF
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