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MRF9511LT1 NPN三极管 20V 100mA/0.1A 9Ghz 75~150 SOT-143 marking/标记 11H 高增益,低噪声小信号放大器

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)20V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)10V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)100mA/0.1A
截止频率fTTranstion Frequency(fT)9Ghz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)75~150
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率PcPower Dissipation322mW/0.322W
Description & Applications• The RF Line NPN Silicon Low Noise High-Frequency Transistors Designed for use in high gain, low noise small–signal amplifiers. This series features excellent broadband linearity and is offered in a variety of packages. • Fully Implanted Base and Emitter Structure • 18 Finger, 1.25 Micron Geometry with Gold Top Metal • Gold Sintered Back Metal • Available in tape and reel packaging options: T1 suffix = 3,000 units per reel
描述与应用•RF线NPN硅高频低噪声晶体管 设计用于在高增益,低噪声小信号放大器。该系列产品 具有良好的宽带线性,并提供多种封装。 •完全植入基极和发射极结构 •18个手指,1.25微米几何与黄金顶部的金属 •黄金背面金属烧结 •可在磁带和卷轴包装选择: T1后缀=3000单位每卷
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