MTM861240L P沟道MOS场效应管 -20V -2A 0.1ohm SOT-563 marking/标记 DM 功率MOSFET 小型封装
| 最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | -20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage | 10V |
| 最大漏极电流IdDrain Current | -2A |
| 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance | 0.1Ω @-1A,-4V |
| 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage | -0.4--1.3V |
| 耗散功率PdPower Dissipation | 540mW/0.54W |
| Description & Applications | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device |
| 描述与应用 | P沟道增强模式 功率MOSFET 简单的驱动要求 小封装 表面贴装设备 |
| 规格书PDF |
