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MTM861240L P沟道MOS场效应管 -20V -2A 0.1ohm SOT-563 marking/标记 DM 功率MOSFET 小型封装

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流IdDrain Current-2A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.1Ω @-1A,-4V
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-0.4--1.3V
耗散功率PdPower Dissipation540mW/0.54W
Description & ApplicationsP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device
描述与应用P沟道增强模式 功率MOSFET 简单的驱动要求 小封装 表面贴装设备
规格书PDF
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