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NTHS5404T1 N沟道MOSFET 20V 5.2A 1206-8 marking/标记 A2X 低导通电阻

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流Id Drain Current5.2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance45mΩ@ VGS =2.5V, ID =4.3A
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage0.6V
耗散功率Pd Power Dissipation1.3W
Description & ApplicationsPower MOSFET N−Channel Chip FET Features • Low RDS(on) for Higher Efficiency • Logic Level Gate Drive • Miniature Chip FET Surface Mount Package Saves Board Space • Pb−Free Package is Available Applications • Power Management in Portable and Battery−Powered Products; i.e.,Cellular and Cordless Telephones and PCMCIA Cards
描述与应用功率MOSFET N沟道芯片FET 特点 •低RDS(ON),以获得更高效率 •逻辑电平栅极驱动器 •微型芯片FET表面贴装封装节省电路板空间 •无铅包装是可用 应用 •电源管理在便携式和电池供电的产品,也就是说,蜂窝电话和无绳电话和PCMCIA卡
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