P01N02LMB N沟道MOSFET 1.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 102B 硅栅高速开关/低驱动
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 15V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 1.2A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 0.22Ω/Ohm @1.2A,10V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 0.7-2.5V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 600mW/0.6W |
| Description & Applications | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 描述与应用 | N沟道逻辑电平增强 模式场效应晶体管 |
| 规格书PDF |
