QS6K1 复合场效应管 30V 10A SOT-153/SOT23-5/TSMT5 marking/标记 K01 电源开关 DC/DC转换
| 最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | 30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage | 12V |
| 最大漏极电流IdDrain Current | 10A |
| 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance | 364mΩ@ VGS =2.5V, ID =1A |
| 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage | 0.5~1.5V |
| 耗散功率PdPower Dissipation | 1.25W |
| Description & Applications | 2.5V Drive Nch+Nch MOS FET Features Low on-resistance. Built-in G-S Protection Diode. Small and Surface Mount Package (TSMT6). Application Power switching, DC / DC converter. |
| 描述与应用 | 2.5V驱动N沟道+ N沟道MOS FET 特点 低导通电阻。 内置G-S的保护二极管。 小和表面贴装封装（TSMT6）。 应用 电源开关，DC / DC变换器。 |
| 规格书PDF |
