RHK005N03 N沟道MOSFET 30V 500mA/0.5A SOT-23/SC-59 marking/标记 KU 高输出功率
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 20V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 500mA/0.5A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 0.55Ω/Ohm @500mA,10V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 1.0-2.5V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | 4V Drive Nch MOS FET Silicon N-channel MOS FET Features Low On-resistance. High speed switching. |
| 描述与应用 | 4V驱动N沟道MOS FET 硅N沟道MOS FET 低导通电阻。 高速开关 |
| 规格书PDF |
