RN2511 PNP+PNP复合带阻尼三极管 -50V -100mA HEF=120~400 R1=10KΩ 300mW/0.3W SOT-153/SMV/SOT23-5 标记YM 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-50V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
-0.1A/-100MA |
| 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) | 10KΩ |
| 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) | |
| 基极与基极-发射极输入电阻比(R1/R2) Base-Emitter Input Resistance Ratio(R1/R2) |
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| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) |
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| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) |
200MHZ |
| 耗散功率Pc Power Dissipation |
300MW/0.3W |
| 描述与应用 Description & Applications |
特点•东芝晶体管的硅PNP外延式（PCT程序）（偏置电阻内置晶体管）•包括两个设备中的SMV（5导线的超级迷你型）•借助内置的偏置电阻•简化电路设计•减少了部件数量和制造工艺•开关应用•逆变器电路应用•接口电路的应用•驱动器电路应用 |
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