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S913TR N沟道MOSFET 12V 30mA SOT-143 marking/标记 13R 高速开关/无二次击穿

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage12V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage
最大漏极电流Id Drain Current30mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage7-10V
耗散功率Pd Power Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsIntegrated gate protection diodes Low noise figure High gain Biasing network on chip
描述与应用综合栅极保护二极管低噪声系数 高增益 偏置片上网络
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