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SI1013X P沟道MOS场效应管 -20V -400mA 0.8ohm SOT-523 marking/标记 BAA/BGA 低导通电阻 功率MOSFET 2000VESD保护

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage6V
最大漏极电流IdDrain Current-0.4A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.8Ω @-350mA,-4.5V
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-0.45V
耗散功率PdPower Dissipation175mW/0.175W
Description & ApplicationsFEATURES • Halogen-free Option Available • High-Side Switching • Low On-Resistance: 1.2 Ω • Low Threshold: 0.8 V (Typ.) • Fast Switching Speed: 14 ns • 1.8 V Operation • TrenchFET Power MOSFETs • 2000 V ESD Protection
描述与应用•无卤股权 •高边开关 •低导通电阻:1.2Ω •低阈值:0.8 V(典型值) •开关速度快:14纳秒 •1.8 V操作 •的TrenchFET 功率MOSFET •2000 V ESD保护
规格书PDF
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