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SSM3K16FS N沟道MOSFET 20V 100mA/0.1A SOT-523/SSM marking/标记 DS ESD保护

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流Id Drain Current100mA/0.1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance1.5Ω/Ohm @10A,4V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage0.6-1.1V
耗散功率Pd Power Dissipation100mW/0.1W
Description & ApplicationsHigh-Speed Switching Applications Analog Switch Applications • Suitable for high-density mounting due to compact package • Low ON-resistance : Ron = 3.0 Ω (max) (@VGS = 4 V) : Ron = 4.0 Ω (max) (@VGS = 2.5V) : Ron = 15 Ω (max) (@VGS = 1.5 V)
描述与应用高速开关应用 模拟开关应用 •适用于高密度安装由于紧凑的封装 •低导通电阻:RON =3.0Ω(最大值)(@ VGS=4 V) RON =4.0Ω(最大值)(@ VGS= 2.5 V)罗恩=15Ω(最大)(@ VGS=1.5 V)
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