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SSM6N05FU 复合场效应管 20V 400mA/0.4A SOT-363/SC70-6/UF6 marking/标记 DF 高速开关

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流IdDrain Current400mA/0.4A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance800mΩ@ VGS = 4V, ID = 200mA
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage0.6~1.1V
耗散功率PdPower Dissipation300mW/0.3W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications ●Small package ●Low on resistance : Ron = 0.8 Ω (max) (@VGS = 4 V) Ron = 1.2 Ω (max) (@VGS = 2.5 V) ●Low gate threshold voltage
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 高速开关应用 ●小型封装 ●低导通电阻RON =0.8Ω(最大值)(@ VGS=4 V) RON=1.2Ω(最大)(@ VGS= 2.5 V) ●低栅极阈值电压
规格书PDF
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