T3055EL N沟道MOSFET 60V 1.5A TO-252/D-PAK marking/标记 T3055EL 高速开关
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 15V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 1.5A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 0.18Ω/Ohm @750mA,5V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 1-2V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 800mW/0.8W |
| Description & Applications | N–Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS E–FET SOT–223 for Surface Mount |
| 描述与应用 | N沟道增强模式 硅栅TMOS E-FET SOT-223表面贴装 |
