TBB1002BMTL 6V 30MA SOT363 代码 BM 双偏置电路MOS场效应晶体管集成电路 甚高频/超高频射频放大器
| 最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | 6V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage | |
| 最大漏极电流IdDrain Current | 30MA |
| 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance | |
| 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage | |
| 耗散功率PdPower Dissipation | 250MW/0.25W |
| Description & Applications | * Twin Built in Biasing Circuit MOS FET IC VHF/UHF RF Amplifier. * Small SMD package CMPAK-6 built in twin BBFET; To reduce using parts cost & PC board space. * Suitable for World Standard Tuner RF amplifier. * Very useful for total tuner cost reduction. * Withstanding to ESD; Built in ESD absorbing diode. Withstand up to 200 V at C = 200 pF, Rs = 0 conditions. * Provide mini mold packages; CMPAK-6. |
| 描述与应用 | * 双内置偏置电路MOS FET的集成电路VHF/ UHF射频放大器。 * 小SMD封装CMPAK-6内置双BBFET;要降低零部件的成本与PC板空间。 * 适用于世界标准调谐器RF放大器。 * 总的调谐器成本降低非常有用的。 * 耐ESD;内置ESD吸收二极管。承受高达200 V C = 200 PF，RS=0条件。 * 提供小型模具包; CMPAK-6。 |
| 规格书PDF |
